Дарлингтон

Схема Дарлингтона

Обозначение составного транзистора, выполненного из двух отдельных транзисторов, соединенных по схеме Дарлингтона, указано на рисунке №1. Первый из упомянутых транзисторов включен по схеме эмиттерного повторителя, сигнал с эмиттера первого транзистора поступает на базу второго транзистора. Достоинством этой схемы является исключительно высокий коэффициент усиления. Общий коэффициент усиления по току р для этой схемы равен произведению коэффициентов усиления по току отдельных транзисторов: р = ргр2 .

Например, если входной транзистор пары Дарлингтона имеет коэффициент усиления, равный 120, а коэффициент усиления второго транзистора равен 50, то общее р составляет 6000. В действительности усиление будет даже несколько большим, так как общий коллекторный ток составного транзистора равен сумме коллекторных токов пары входящих в него транзисторов.
Полная схема составного транзистора показана на рисунке №2. В этой схеме резисторы R 1 и R 2 составляют делитель напряжения, создающий смещение на базе первого транзистора. Резистор Rн, подключенный к эмиттеру составного транзистора, образует выходную цепь. Такой прибор широко применяется на практике, особенно в тех случаях, когда требуется большой коэффициент усиления по току. Схема имеет высокую чувствительность к входному сигналу и отличается высоким уровнем выходного коллекторного тока, что позволяет использовать этот ток в качестве управляющего (особенно при низком напряжении питания). Применение схемы Дарлингтона способствует уменьшению числа компонентов в схемах.

Схему Дарлингтона используют в усилителях низкой частоты, в генераторах и переключающих устройствах. Выходное сопротивление схемы Дарлингтона во много раз ниже входного. В этом смысле ее характеристики подобны характеристикам понижающего трансформатора. Однако в отличие от транформатора схема Дарлингтона позволяет получить большое усиление по мощности. Входное сопротивление схемы примерно равно $²Rn, а ее выходное сопротивление обычно меньше Rн . В переключающих устройствах схема Дарлингтона применяется в области частот до 25 кГц.

Sidney Darlington

Sidney Darlington (July 18, 1906 – October 31, 1997) was an electrical engineer and inventor of a transistor configuration in 1953, the Darlington pair. He advanced the state of network theory, developing the insertion-loss synthesis approach, and invented chirp radar, bombsights, and gun and rocket guidance.
Darlington joined Bell Labs in 1929, where his first supervisor was Hendrik Wade Bode, and he remained there until he retired in 1971.
In 1945, he was awarded the Presidential Medal of Freedom, the United States' highest civilian honor, for his contributions during World War II. He was an elected member of the National Academy of Engineering, which cited his contributions to electrical network theory, radar, and guidance systems. In 1975, he received IEEE's Edison Medal "For basic contributions to network theory and for important inventions in radar systems and electronic circuits" and the IEEE Medal of Honor in 1981 "For fundamental contributions to filtering and signal processing leading to chirp radar".
He died at his home in Exeter, New Hampshire, USA, at the age of 91.

U.S. Patent 1,991,195 — Wave Transmission Network
U.S. Patent 2,663,806 — Semiconductor signal translating devices. (ed., "Darlington Transistor")
U.S. Patent 2,438,112 — Bombsight Computer
U.S. Patent 2,658,675 — Fire Control Computer
U.S. Patent 2,678,997 — Pulse Transmission (chirp)
U.S. Patent 3,008,668 — Rocket Guidance
U.S. Patent 3,265,973 — Two-Port Network Synthesis
U.S. Patent 3,618,095 — Chirp Pulse Equalizer

http://www.ieeeghn.org/wiki/index.php/Sidney_Darlington

ВінРадіоФорум

Forum navigation

User links

Announcement

User info

Дарлингтон

Posts 1 to 2 of 2

Share12014-01-09 21:35:36

Share22014-01-09 21:42:09