Группа французских учёных, в которую вошли представители Института электроники, микроэлектроники и нанотехнологий (учрежденный IEMN / CNRS) и лаборатории физики конденсированного состояния, создала транзистор на углеродных нанотрубках на кремниевой подложке, предельная частота которого достигает 30 ГГц.

Это уже не первое достижение французских ученых в этой области – в прошлом году им удалось создать транзистор на нанотрубках, работавший на частотах до 6 ГГц. Это уже тогда являлось значительным усовершенствованием по сравнению с первым транзистором на нанотрубках, созданным в 2001 году.

Главная трудность, которую удалось преодолеть французам – это проблема манипуляции и контроля параметров нанотрубок в ходе их роста на кремниевой подложке. Для того, чтобы получить равномерный массив нанотрубок, использовался метод диэлектрофореза, который, помимо кремниевых подложек, позволяет наносить их и на органические подложки, так как работает при комнатной температуре.